このコーナーは「ドリームニュース」にて配信されたプレスリリースを原文掲載しています。本ページの内容に関するお問い合わせは掲載元企業まで直接ご連絡ください。
GaN半導体デバイス市場概観
GaN半導体デバイス市場は、従来のシリコンベースデバイスに比べて優れたエネルギー効率と高性能能力を提供する、現代電子機器の重要なセクターとして台頭しています。2023年の評価額は25.9億米ドルで、2024年から2032年の間に年平均成長率24.55%で成長し、2032年までに186.8億米ドルに達すると予測されています。この成長は主に、パワーエレクトロニクス、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、次世代通信ネットワークにおける省エネ技術の採用によって推進されています。
窒化ガリウム（GaN）半導体は、効率の向上、軽量・サイズの削減、スイッチング速度の高速など、大きな利点を提供します。これらの特性により、GaNデバイスはEVバッテリーチャージャー、DC/DCコンバーター、ワイヤレス充電システム、トラクションインバーター、5Gパワーアンプなどの用途で好まれる選択肢となっています。特にGaNインバーターは最大70%の効率向上を示し、EV性能の向上や持続可能なモビリティの取り組みを支援しています。
主要な市場変化を把握しましょう:サンプルレポートを入手: https://www.snsinsider.com/sample-request/1305
主要な市場推進要因
GaN半導体がEVイノベーションの触媒として
電気自動車の採用増加はGaN半導体の主要な成長原動力です。GaNデバイスはインバーター、バッテリーチャージャー、DC/DCコンバーターなどのEV部品の性能を向上させ、エネルギー変換を最適化し充電時間を短縮します。パワーエレクトロニクスの重量とサイズを軽減することで、GaN技術はEVの走行距離延長にも寄与しています。
GaN技術を搭載したEVは、一部のインバーターで99%を超える効率向上を実現しており、従来のカーバイドシリコンシステムと比べてエネルギー損失を60%以上削減しています。さらに、GaNの生産エネルギー消費量が低いため、自動車業界にとってより持続可能な選択肢となっています。
より速い充電とエネルギー効率への需要
GaN充電器はモバイルデバイスや家電製品でますます利用されており、充電時間の短縮と省エネルギーを実現しています。アンモニアフリーのGaN生産へのシフトも勢いを増しており、環境に優しい製造プロセスと結晶品質の向上を促進しています。再生可能エネルギーやクリーン技術の導入を支援する政府の取り組みは、太陽光インバーター、風力タービン、電気自動車充電器におけるGaN半導体の導入をさらに強化しています。
市場の制約
原材料の供給不足とサプライチェーンの課題
GaN半導体の製造は、主にアルミニウム抽出の副産物として得られる希少な元素であるガリウムに大きく依存しています。サプライチェーンの制約や複雑な採掘プロセスは、価格の変動や生産のボトルネックを引き起こす可能性があります。シリコンカーバイドなどの代替手段は存在しますが、GaNの生産はガリウムの入手可能性に大きく依存しています。原材料調達やアンモニアフリー生産方法の革新がこれらの制約に対処しつつありますが、リスクを完全に軽減するにはまだ十分に普及していません。
市場セグメンテーション
製品別
光半導体セグメントは2023年に45%のシェアで市場を支配しています。GaNベースのLEDやレーザーダイオードは、省エネ照明、ディスプレイ、光通信、自動車用途で広く使用されています。これらのデバイスは従来のソリューションに比べて優れた輝度、長い寿命、そして高い電力効率を提供し、広範な採用を促進しています。
コンポーネント別
パワーICは2023年の市場で約33%を占めています。GaNベースのパワーICは、より高速なスイッチング速度、低減電力損失、そして熱管理の向上を実現し、EV、通信、産業用電力変換、再生可能エネルギーシステムへの応用に最適です。小型化や省エネ設計への傾向が、これらの部品の需要を引き続き押し上げています。
地域別洞察
北米が市場をリード
2023年には、北米がGaN半導体デバイス市場の36%を占めていました。この地域の支配力は、堅牢な技術インフラ、大規模な研究開発投資、そして主要な半導体メーカーの強力な存在感によって支えられています。急速なEV導入、政府のクリーンエネルギー施策、エネルギー効率の高いソリューションへの需要増加が、北米の市場成長を牽引する重要な要因です。
アジア太平洋地域が最も成長の早い地域として台頭
アジア太平洋地域は2024年から2032年まで最も成長が速い市場になると予測されています。この地域の成長は、急速な工業化、技術の進歩、そしてEV、通信、家電、再生可能エネルギー分野におけるGaNの普及増加によって支えられています。中国、日本、韓国、台湾などの主要拠点は、GaN市場の拡大を支援するために研究開発や製造インフラに多額の投資を行っており、この地域をGaN技術導入のリーダーとして位置づけています。
加速した市場需要:詳細な洞察とトレンドを当社の全文レポートでご覧ください: https://www.snsinsider.com/reports/gan-semiconductor-devices-market-1305
主要メンバー
ウルフスピード株式会社、住友電気工業株式会社、MACOMテクノロジーソリューションズホールディングス株式会社、三菱電機株式会社、ROHM株式会社、STマイクロエレクトロニクスN.V.、イノサイエンステクノロジー、富士通株式会社、ネクスジェンパワーシステムズ、オデッセイ半導体テクノロジー株式会社、パナソニック株式会社、オスラムオプト半導体有限会社、エックストロンSE、コンインクリケ・フィリップスN.V.、台湾セミコンダクター製造会社、インテル株式会社、グローバルファウンドリーズ、半導体製造インターナショナル株式会社、 スカイワークス・ソリューションズ社、アナログ・デバイセズ社、イーフィシェント・パワーコンバージョン・コーポレーション、トランスフォーム社、インフィニオン・テクノロジーズAG、NXPセミコンダクターズ、Qorvo社、テキサス・インスツルメンツ社、東芝社、GaNシステムズ、NTT先端技術社
最近の動向
2024年3月: EPCは1mΩオン抵抗を持つ100V GaN FETのEPC2361を発表し、電力密度を倍増させ変換効率を向上させました。
2024年1月: Transphormは35mΩおよび50mΩのオン抵抗を持つSuperGaN（R） FET（TP65H035G4YSおよびTP65H050G4YS）を2基打ち上げ、SiC MOSFETと比較して最大27%の損失削減を実現しました。
将来展望
GaN半導体デバイス市場は、今後10年間で堅調な成長が見込まれています。EVの普及増加、省エネ電子機器の需要増加、5Gインフラの展開がさらなる拡大を牽引すると予想されています。製造、原材料調達、持続可能なGaN生産技術の進歩が、スケーラビリティとコスト効率を支えます。この技術は自動車、産業、家電分野への浸透がさらに広がる見込みであり、GaNはエネルギー効率化と次世代電子イノベーションの重要な推進力となるでしょう。
結論
GaN半導体は、高効率、小型化、持続可能なシリコンベースの代替手段を提供することで、複数の産業を変革しています。市場の急速な成長は、2032年までに186億8,000万米ドルに達すると予測されており、この技術がEV、再生可能エネルギー、高性能電子機器において戦略的に果たす役割を反映しています。製造業者が新しいGaNデバイスや生産技術に投資する中、市場は強い勢いを維持し、業界全体でイノベーション、持続可能性、コスト効率の高いソリューションを促進すると予想されています。
関連報告書
ワイドバンドギャップ半導体市場予測 2024-2032: https://www.snsinsider.com/reports/wide-bandgap-semiconductor-market-3552
5Gインフラ市場予測 2026-2033: https://www.snsinsider.com/reports/5g-infrastructure-market-1271